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NAND FLASH 存取原理
- NAND Flash 的數據是以bit 的方式保存在memory cell，一般來說，一個cell 中只能存儲一個bit。這些cell 以8 個或者16 個為單位，連成bit line，形成所謂的byte(x8)/word(x16)，這就是NAND Device 的位寬。這些Line 會再組成Page. (Nand Flash 有多種結構，我使用的Nand Flash 是K9F1208,下面內容針對三星的K9F1208U0M)，每頁528Byte，每32 個page 形成一個Block， Si
三星的全系列的nand flash的选型指导和命名规范
- 三星的全系列的nand flash的选型指导和命名规范，对于选择合适的flash很有帮助,Samsung nand flash a full range of the selection guide and naming convention, and the choice of a suitable flash helpful
smdk2416_rev0_1_cpu_ddr2_080529
- 三星新的ARM9 S3C2416的电路图纸，可支持DDR2,MLC FLASH-Samsung ARM9 S3C2416 new circuit drawings, supports DDR2, MLC FLASH
K9GAG08U0M_0.1
- nand flash 文档说明，三星公司制作-nand flash document that Samsung produced
Samsung_K9_Series_Nand_Flashs
- 三星256MB~4GB Nand Flash pdf资料-Samsung 256MB ~ 4GB Nand Flash pdf information
OneNAND_in_embed_sys
- OneNAND闪存在嵌入式系统中的应用 OneNAND Flash是三星公司开发的一类Flash芯片，它克服了传统NAND Flash接口复杂的缺点，具有接口简单、读写速度快、容量大、寿命长、成本低等优点。文章从软硬件两方面介绍了其在嵌入式系统中的应用，特别是逻辑块和物理块地址的映射、读写擦操作、坏块处理、性能优化等技术。-OneNAND flash memory in embedded system applications developed by Samsung' s OneNA
sanx
- 描写了三星的关于FLASH命名的描述，描述了各个参数的意义及含义-Describes the samsung about FLASH named descr iption
NAND_Flash_WRITEaREAD
- 三星nand flash读写操作，包括物理组成、驱动解读、地址等，还包括源码-Samsung nand flash read and write operations, including physical composition, driven interpretation, address, etc., but also including the source code
Nand-Flashby-amine
- 经过一个星期的摸索，终于在NAND FLASH上建立了TFFS文件系统，今天拿出来和大家分享一下！相信大家对NAND FLASH的特点和与NOR FLASH的区别都有所了解，有关这方面的文章坛子里有，我就不在赘述了。下面我以三星的K9F6408U0C为例（它是8M x 8 Bit NAND Flash Memory），详细说明建立过程。