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EEPROMBurntowrite
- EEPROM是一种可以进行电擦写，掉电后数据不丢失的存储器。它具有功耗 低、容量大、烧写与擦除速度快等优点，并且内部嵌入算法完成对芯片的操作，简化了软件的工作量，因而在数字信号处理系统中得到了广泛的应用。在DSP系统中通常在上电或复位时从外部加载并执行用户的程序代码，这个过程叫做自举加载。现要将程序空间的代码烧写入扩展的外部EEPROM中，以实现自举加载功能。 -EEPROM can be an electric erasable, power-fail without loss of
boot_loader_slaa096d
- 引导加载（有时被称为引导）的MSP430的衍生物与快闪记忆体允许进入其嵌入式记忆体在原型，生产，还是在外地。这是可能下载或修改代码中的快闪记忆体（电可擦除和可编程存储器）或存储校准数据或其他系统的相关数据在快闪记忆体或RAM中。 -Application of Bootstrap Loader in MSP430 With Flash Hardware- The bootstrap loader (sometimes called the bootloader) of MSP430 deri
24c02series
- 与400KHz I2C 总线兼容 1.8 到6.0 伏工作电压范围 低功耗CMOS 技术 写保护功能当WP 为高电平时进入写保护状态 页写缓冲器 自定时擦写周期 1,000,000 编程/擦除周期
111111111
- 24c02的中文资料，详细介绍I2C的具体使用用法，能够快速的入门电可擦除存储器-24c02 Chinese data, details of the specific use of I2C use, to quickly start EEPROM
NANDPFlash-controller
- nand flash控制器的设计与验证文档，里面有读写擦除具体的控制步骤，还有在FPGA下的验证。-nand flash controller design and verification of documents, which read and write to erase specific control steps, as well as the FPGA verification.
k9f28xxu0c-Chinese-data-Manual
- k9f28xxu0c中文数据手册 16M 8 位8M 16 位NAND Flash 存储器K9F28XXU0C 概述 K9F28XXU0C 是一个含有4M 位备用容量的128M 位Flash 存储器提供16M 8 位或8M 16 位两种 结构它的Vcc 为3.3V 其NAND 单元为固态海量存储器市场提供了最低成本的方案528 字节8 器 件或264 字16 器件的页编程操作时间为200us 16K 字节8 器件或8K 字16 器件的块 擦除操作时间为2ms 页面的数据以
msp430f5438-ADC-DAC-FLASH
- 基于msp430f5438的10个程序，包含ADC采集储存.DAC输出和FLASH读写、擦除的小程序，应用于购买msp430f5438开发板的同学练习使用。-Based msp430f5438 of 10 procedures, including ADC acquisition storage. DAC output and FLASH read and write, erase small program used buy msp430f5438 students practice usin
C16x-in-system-programming
- 英飞凌C16x系列单片机在系统编程（in-system flash programming）方法，包含对片内flash的擦除、编程操作。-Infineon C16x series microcontroller in-system programming method, including the on-chip flash erase, program operations.
Debugging-summary-of-norflash-P30-
- 自己调试norflash P30片子的总结，包含读、写、擦除的状态转换以后与fifo数据交互中出现的问题-Summarize their debugging norflash P30, include reading, writing and erasing the state transition of problems arising the interaction with fifo data later
STM32F103CDEshujushouce
- 本文给出了STM32F103xC、STM32F103xD和STM32F103xE大容量增强型产品的订购信息和器件的机械特性。有关完整的STM32F103xx系列的详细信息，请参考第2.2节。 大容量STM32F103xx数据手册，必须结合STM32F10xxx参考手册一起阅读。 有关内部闪存存储器的编程、擦除和保护等信息，请参考《STM32F10xxx闪存编程参考手册》。-In this paper, the mechanical properties STM32F103xC, STM3
flash
- Flash存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还可以快速读取数据（NVRAM的优势），使数据不会因为断电而丢失。U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里，嵌入式系统一直使用ROM（EPROM）作为它们的存储设备，然而近年来Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码-Flash memory also known as flash, it combines t
w25q128fv中文版
- W25Q128 (128M-bit),被组织为65536个可编程的页，每页256bytes。擦除方式分为16页一组（即一个扇区4kbytes），128页一组（即8个扇区32kbytes），256页一组（即16个扇区或1个块64kbytes），或整个芯片擦除。该芯片有4096个可擦除扇区，或256个可擦除块。该芯片支持 standard spi,Dual/Quad I/O SPI
star码英文版翻译
- 正确的基于纠删码的数据放置方案是高可用数据存储系统的重要组成部分之一。对于这种方案，用于纠正（或恢复）存储节点故障的低解码复杂度对于实际系统是必不可少的。在本文中，我们描述了一种新的编码方案，我们称之为星码，用于纠正三重存储节点故障（擦除）。星码是双纠删偶码的扩展，是广义三纠删码的改进偶数码。星型代码是MDS代码，因此对于给定的数据冗余，在节点故障恢复能力方面是最优的。我们提供详细的星码解码算法，以纠正各种三节点故障。结果表明，星码的译码复杂度远低于现有的可比码，因此星码对于可靠性要求较高的存储