搜索资源列表
DDR
- 关于DDR SDRAM的详细原理和时序分析,对于开发设计有很大使用价值-DDR SDRAM on detailed principles and timing analysis, design for the development of a great value
DRAM-manufacture
- 256MDRAM深槽制造工艺，有相关DRAM发展历史等，还有详细的制作工程的图和动画，方便一目了然的了解具体工艺过程-256MDRAM deep grooves manufacturing process, history and other relevant DRAM development, as well as the production of detailed engineering diagrams and animations to facilitate understanding
H57V2562GTR-60C
- H57V2562GTR-60C数据手册，CMOS Synchronous DRAM,-H57V2562GTR-60C Data Sheet, CMOS Synchronous DRAM,
MM02-ATOM-ESMini-2012-02-10
- MM2是德国MEN公司推出的系列超小型嵌入式CPU模块ESMini家族（95x55mm尺寸）中的一款新产品，基于intel新的E680T处理器，1.6GHz主频，1GB的DDR2 DRAM存储器，全表贴器件；支持2个Gigabit Ethernet, 1个CAN和4个COM扩展口等，提供PCI Express载板扩展口；整板最大5至7瓦的较低功耗，配上半定制的载板，非常适合需要加固应用的工业，移动应用领域。-The MM2 is an ultra-small Computer-On-Modu
05930339
- A 0.31–1 GHz Fast-Corrected Duty-Cycle Corrector With Successive Approximation Register for DDR DRAM Applications
Allwinner A40i DRAM Support List V1.0
- Allwinner A40i DRAM Support List V1.0
DDR4 SODIMM标准
- This specification defines the electrical and mechanical requirements for 260 pin, 1.2 V (VDD), Small Outline, Double Data Rate, Synchronous DRAM Dual In-Line Memory Modules (DDR4 SDRAM SO-DIMMs). These DDR4 SO-DIMMs are intended for use as main me
内存DDR3 DDR4 DDR5颗粒检测
- 台湾软件精准测试 DDR颗粒 专业DRAM测试：DDR3 DDR4 DDR5 拆机 翻新 全新料 测试规格：DDR3 4位 8位 16位 全位测试 DDR4 8位：512M8 1GX8 2GX8 16位 ：256X16 512X16 1GX16 2GX16 DDR5 2G8 1G16 DRAM颗粒及内存条等 提供专业的测试服务，有需求者私聊 章R：13545126577（微信同号）